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技术参数
二次电子分辨率: 15 kV @ 0.5 nm;1 kV @ 0.8 nm
背散射电子分辨率: 1 kV @ 1.2 nm
高效采集效率, 可呈现来自样品极表面的高分辨 、无畸变成像,及快速便捷的EDS能谱分析。
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