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技术参数
电子束分辨率:1.0 nm @ 1 kV(镜筒内探测器);0.8 nm @ 15 kV (STEM模式)
离子束分辨率: 2.5 nm @ 30 kV;1.0 nm @ 1 kV (镜筒内探测器)
结合 ATLAS 3D 软件,自动切片+成像重构纳米级三维结构(如芯片、材料孔隙)
