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原子层沉积ALD（Beneq TFS200）

本设备采用倍耐克（Beneq）TFS200型等离子体增强原子层沉积系。该设备基于原子层沉积的自限制表面反应原理，并创新性地引入等离子体活化技术。通过交替通入前驱体与等离子体活化的反应气体，可在较低基底温度下，于复杂三维结构表面实现高度共形、均匀、致密且纯净的薄膜沉积。特别适用于半导体器件、光学镀膜、纳米技术等领域对高性能薄膜的精确制备需求，突破了传统热ALD在材料选择与沉积条件上的限制。

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更新时间：2026-10-09
Technical Parameters

技术参数

循环周期小于2，在特定的条件下可以小于1 


可快速加热和冷却的冷壁真空反应腔 


设备主要用于半导体制造、光电子、纳米技术和材料科学等领域。它广泛应用于制造高性能电子器件、光电材料、薄膜电池、传感

器和催化剂等，能够在复杂结构上沉积均匀且高质量的薄膜。


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