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技术参数
能量分辨率：高达0.2 eV @ Fe K-edge（7.1 keV），支持近边（XANES）和扩展边（EXAFS）高精度测量。
能量范围：4 keV–20 keV（可扩展至30 keV，可选配高能探测器），覆盖多种元素K/L边吸收谱。
探测灵敏度：荧光模式检测限低至ppm级，适用于低浓度样品分析。
数据采集速度：快速扫描模式可达10ms/点，支持原位/动态过程实时监测。
稳定性与重复性：能量重复性优于±0.1 eV，光束位置稳定性<1 μm（RMS）。
样品环境兼容性：支持常温、低温（选配液氮/氦冷台）、高压（DAC）及电化学原位池等多场景测试。
探测器配置：标配硅漂移探测器（SDD，能量分辨率<130 eV @ Mn Kα），可选配多元素阵列探测器提升信噪比。
